监控开关电源损耗的问题以及解决方法

监控开关电源设计发展趋向是实用化。开关电源实用化设计方案中，提升开关頻率可合理提升开关电源的功率。但伴随着开关頻率提高，电源电路干扰信号（EMI）难题使开关电源技术工程师遭遇了更大的试炼。文中以反激式开关拓扑为例，从设计方案视角，探讨怎样减少电源电路EMI。

为提升开关电源的功率，开关电源技术工程师***先想起的方法是切换开关頻率更高的MOSFET,根据提升开关速率能够明显地减少輸出过滤器容积，进而在企业容积内可保持更高的功率级别。可是伴随着开关頻率的提升，会产生EMI特点的恶变，务必采取措施的对策改进电源电路的EMI特点

监控开关电源的功率MOSFET安裝在pcb电路板上，因为pcb电路板上MOSFET布线和环路存有杂散电容器和内寄生电感器，开关頻率越高，这种杂散电容器和内寄生电感器更为不可以忽视。因为MOSFET上的工作电压和电流量在开关时候迅速转变，迅速转变的工作电压和电流量与这种杂散电容器和内寄生电感器相互作用力，会造成工作电压和电流量出現尖峰，使輸出噪音持续上升，危害系统软件EMI特点。

由1-1和1-2式所知，内寄生电感器和di/dt产生工作电压尖峰，寄生电容和dv/dt产生电流量尖峰。这种迅速转变的电流量和关系的脉冲电流在别的地区造成藕合的噪音工作电压，因而危害到开关电源EMI特点。下边以反激式开关拓扑为例，对减少MOSFET的dv/dt和di/dt对策开展详细介绍。

监控开关电源能够采用下列合理对策：

较高的Cds能够减少dv/dt并减少Vds过冲；可是较高的Cds会危害转化器的高效率。能够应用具备较低击穿场强和低导通电阻器的MOSFET（这种MOSFET的Cds也较小）。可是假如考虑到噪音辐射源，则必须应用很大的串联谐振电容器(Cds)。因而提升Cds则必须衡量EMI和高效率二者的关联；

较高的Cgd本质上提升了MOSFET在米勒服务平台的延迟时间，能够减少dv/dt。但这会造成提升监控开关电源损耗，进而减少MOSFET高效率而且会提升其温度。提升Cgd，必须驱动电流也会大幅度提升，控制器将会会因为一瞬间电流量过大而损坏；提议尽量不要加上Cgd。

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